[发明专利]半导体硅片腐蚀液无效
| 申请号： | 200910017216.8 | 申请日： | 2009-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN101608308A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 唐晓刚;杨仲华;刘静;张桂仙 | 申请（专利权）人： | 威海双丰物探设备股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/40 | 分类号： | C23F1/40 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 264209山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体硅片腐蚀液，涉及微机械加工，按重量百分比，氢氧化钾20-30％，异丙醇10-15％，其余为水，搅拌均匀制成品，异丙醇对(100)硅片的晶向线方向和垂直于晶向线方向的腐蚀速度起到干扰作用，而对非晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度影响小，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构时，在晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向的腐蚀速度相同，腐蚀如正六边形微机械结构、正八边形微机械结构不变形，适用于腐蚀加工晶向线方向、垂直于晶向线方向和非垂直于晶向线方向，如正六边形、正八边形等半导体(100)硅片的微机械结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 腐蚀 | ||
【主权项】：
1、一种半导体硅片腐蚀液，其特征是：按重量百分比，氢氧化钾20-30％，异丙醇10-15％，其余为水。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威海双丰物探设备股份有限公司，未经威海双丰物探设备股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910017216.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
