[发明专利]一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法无效
| 申请号： | 200910017514.7 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101619484A | 公开（公告）日： | 2010-01-06 |
| 发明（设计）人： | 陈长龙;魏玉玲 | 申请（专利权）人： | 济南大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/16 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 | 代理人： | 李桂存 |
| 地址： | 250022山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法，包括以下步骤：(1)在无水乙醇中加入含铟的无机盐，溶解后再加入甲酰胺或脲，配制成铟离子浓度为0.003-0.030mol·L-1、胺的浓度为0.050-0.230mol·L-1的溶液；(2)将上述溶液倒入反应釜中，再将干燥洁净的ITO玻璃基片浸入其中，导电面朝下并斜靠在釜的内壁，密封反应釜；(3)将密封的反应釜加热到150-200℃，保温反应4-40小时，反应完毕后自然冷却；(4)取出玻璃基片，用去离子水超声洗涤，然后干燥、收集。本发明的制备方法为温和的液相化学方法，制备温度低，能够直接在导电的基片上(准)垂直生长二维的In2O3纳米片构成的半导体膜，原材料简单、初级，不使用催化剂和表面活性剂，不引入外来金属杂质，工艺过程简单易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 基体 生长 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在无水乙醇中加入含铟的无机盐，溶解后再加入甲酰胺或脲，配制成铟离子浓度为0.003-0.030mol·L-1、胺的浓度为0.050-0.230mol·L-1的溶液；(2)将上述溶液倒入反应釜中，再将干燥洁净的ITO玻璃基片浸入其中，导电面朝下并斜靠在釜的内壁，密封反应釜；(3)将密封的反应釜加热到150-200℃，保温反应10-40小时，反应完毕后自然冷却；(4)取出玻璃基片，用去离子水超声洗涤，然后干燥、收集。
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