[发明专利]一种自愈合碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 200910021047.5 | 申请日： | 2009-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN101503305A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 刘永胜;张立同;成来飞;徐永东;殷小玮;董宁;栾新刚 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自愈合碳化硅陶瓷基复合材料的制造方法，该方法包括：制备纤维预制体、化学气相渗透热解碳界面层、界面层热处理、交替化学气相渗透碳化硅和碳化硼基体、化学气相沉积3层碳化硅涂层。该方法可设计性强、工艺简单、可重复性好。本发明制造的陶瓷基复合材料耐高温、防氧化性能好，并且具有优良的力学性能和热学性能，可满足高推重比航空发动机密封片/调节片及内椎体等构件的使用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 愈合 碳化硅 陶瓷 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种自愈合碳化硅陶瓷基复合材料的制备方法，该方法依次包括以下步骤：1)将2维平纹碳布裁减长宽为250mm×125mm，的长方体；2)将2维碳纤维布叠层，并采用石墨模具进行定型得到碳纤维预制体的厚度为1.0～6.0mm；3)将碳纤维预制体渗透热解碳界面层，其厚度为80～500nm；4)将渗碳后的碳纤维预制体进行高温处理，处理温度：1600～2100℃，处理气氛：Ar气，处理时间0.5～5h；5)将高温热处理后的碳纤维预制体放入化学气相渗透炉中渗透碳化硅基体，渗透温度：850～1100℃，保温时间：50～200h，炉内压力：2kPa，先驱体为CH3SiCl3；6)将步骤5渗透碳化硅基体的碳纤维预制体，在化学气相渗透炉中继续渗透碳化硼基体，渗透温度：850～1100℃，保温时间：50～200h，炉内压力：2kPa，先驱体为BCl3-CH4或BCl3-C3H6；7)重复步骤5和6，使得上述材料完全致密；8)在上述完全致密的材料表面沉积3层碳化硅涂层，沉积温度：1000℃，沉积时间：300h，炉内压力：1kPa，先驱体为CH3SiCl3，得到自愈合碳化硅陶瓷基复合材料。
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