[发明专利]一种制作SiC MOS电容的方法有效
| 申请号： | 200910022014.2 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101552192A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 郭辉;张玉明;王德龙;张义门;程萍;张甲阳;张睿 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/94 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS电容的制作方法，主要解决SiC/SiO2界面陷阱密度过高的问题。其制作过程是：对N-SiC外延材料清洗处理后，干氧氧化一层SiO2；对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；采用化学气相淀积在冷处理后的样片上再淀积一层25nm～85nm厚的SiO2；在SiO2层上，离子注入N+到SiC/SiO2界面，并在Ar气环境中退火；通过光刻版真空溅射Al作电极，并在Ar气环境中退火，完成电容器件的制作。本发明具有控制N+的剂量精确，SiC/SiO2界面陷阱密度低，且与现有工艺兼容的优点，可用于对N型SiC MOS器件SiC/SiO2界面特性的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 sic mos 电容 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作SiC MOS电容的方法，包括如下步骤：(1)对N-SiC外延材料进行清洗处理，并在温度为1050±5℃的条件下，干氧氧化一层厚度为10nm～25nm的SiO2；(2)对氧化后的样片，依次完成在Ar气环境中退火、在湿氧环境中湿氧氧化退火和在Ar气环境中的冷处理；(3)采用化学气相淀积在所形成的样片上再淀积一层25nm～85nm厚的SiO2；(4)在SiO2层上，先离子注入能量为8.5～28Kev，剂量为7.2×1012～2.0×1013cm-2的N+到SiC/SiO2界面，再在温度为1000±5℃的Ar气环境中退火20min；(5)将通过上述步骤得到的样片，通过光刻版真空溅射Al制作电极，并在温度为400±5℃的Ar气环境中退火30min，完成电容器件的制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
