[发明专利]一种反应料通电快速冶炼碳化硅的方法及其冶炼反应炉无效

专利信息
申请号: 200910022367.2 申请日: 2009-04-23
公开(公告)号: CN101870468A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 朱胜利 申请(专利权)人: 朱胜利
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36;C01B31/18
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 徐平
地址: 710038 陕西省西安市东郊纺织城*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种碳化硅反应料的冶炼方法及其冶炼反应炉,主要解决现有技术中冶炼碳化硅时温场不均匀、能耗高、品质差的问题,该方法包括以下步骤:装炉、供电、反应合成、废气处理、产品出炉,其主要是利用混合在工业用碳与硅质原料中的石墨导电发热进行反应合成。同时,在反应炉上增设温度补偿装置确保供电过程中为温场均匀分布、降低能耗、提高反应合成效率。
搜索关键词: 一种 反应 通电 快速 冶炼 碳化硅 方法 及其 反应炉
【主权项】:
一种反应料通电快速冶炼碳化硅的方法,其特征在于:包括以下步骤(A)装炉:将工业用碳、石墨与硅质原料破碎后混合均匀,其中工业用碳、石墨与硅质原料的比例范围为0.15~0.35∶1∶1~2.5,将混合的反应料装入反应炉内;(B)供电:待装炉完成后先通过设于反应炉两端的电极端头按一定功率供电,然后开启温场补偿装置使温场分布均匀;(C)反应合成:通电后依靠混合料中均匀分布的石墨导电后产生的热量进行反应合成;(D)废气处理:对反应中产生的大量一氧化碳等废气进行处理;(E)产品出炉:反应合成完成后停止供电,将制备的碳化硅产品出炉并进行后续处理。
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