[发明专利]环境稳定的超低介电常数二氧化硅多孔薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及环境稳定的超低介电常数二氧化硅多孔薄膜的制备方法，对湿化学方法制备的非晶无机SiO₂多孔膜进行表面疏水性修饰处理的工艺。用聚乙烯醇(PVA)作模板剂制备的非晶无机SiO₂多孔薄膜，具有适中的气孔率、高热稳定性、刻蚀图形清晰、与微电子工艺兼容性好的特点。本发明采用三甲基氯硅烷，对以上所述SiO₂多孔薄膜进行了去羟基修饰处理，使其表面具有疏水性，薄膜显示出了超低介电常数的性能，并对环境具有良好的稳定性。

主权项

1、环境稳定的超低介电常数二氧化硅多孔薄膜的制备方法，其特征在于：步骤如下：1)SiO2多孔薄膜是用湿化学方法制备的，形成稳定的非晶无机结构；2)将SiO2多孔薄膜浸泡在体积含量为5-80％三甲基氯硅烷的正己烷溶液中，浸泡1～24小时进行修饰，浸泡期间不断扰动以使薄膜表面的溶液快速更新，促使硅烷化的进行；3)用三甲基氯硅烷的正己烷溶液修饰过的SiO2多孔薄膜，经正己烷溶液冲洗3-5次后，再在正己烷液体中浸泡10-60分钟，浸泡期间不断扰动以使薄膜表面的溶液快速更新，使HCl去除更彻底；4)用正己烷溶液清洗的SiO2多孔薄膜，在130-180℃烘烤0.5-3小时，即得到环境稳定的超低介电常数二氧化硅多孔薄膜。