[发明专利]一种具有纳米SiC薄膜的压力传感器的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910022971.5 申请日: 2009-06-18
公开(公告)号: CN101586992A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 张秀霞;魏舒怡;卢秉恒 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: G01L1/16 分类号: G01L1/16;G01L9/08;B82B3/00;H01J9/02;H01J9/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 惠文轩
地址: 710049陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及压力传感器的设计与制造领域,公开了一种具有纳米SiC薄膜的压力传感器的制备方法,具体包括以下步骤:a、制备纳米SiC浆料;b、制备阴极发射板;c、制备发射器件;d、构成传感器。本发明采用丝网印刷制备纳米SiC薄膜,制作成本低,得到纳米SiC薄膜面积大、均匀,制作的传感器灵敏度高、稳定性好、使用寿命长。
搜索关键词: 一种 具有 纳米 sic 薄膜 压力传感器 制备 方法
【主权项】:
1、一种具有纳米SiC薄膜的压力传感器的制备方法,其特别征在于,包括下列步骤:a、制备纳米SiC浆料首先,分别研磨纳米SiC、纳米石墨,散开其团聚体,再将纳米石墨、纳米SiC、乙基纤维素按重量比用4∶7∶8比例混合作为溶质,按重量比1∶5至1∶9将溶质加入松油醇溶剂中,加热到340-380K温度充分搅拌,超声分散3-5小时,然后过400-450目筛,最后自然冷却至室温,得纳米SiC浆料待用;b、制备阴极发射板首先,选择300-350目的金属丝网或涤纶丝网,将纳米SiC浆料丝网印刷在基板上,再进行热烧结处理,然后在退火炉中,在氮气保护下,在温度为550K-580K、时间为15-20min条件下进行退火,最后自然冷却室温,即得具有纳米SiC薄膜的阴极发射板;c、制备发射器件首先,在阴极发射板的基板上粘贴弹性绝缘筒,弹性绝缘筒上粘贴与基板平行的盖板,基板、弹性绝缘筒、盖板构成密闭腔体,并抽真空,然后,在盖板和基板上分别引出正、负极引线;d、构成传感器在发射器件的正、负极接入恒压电源,恒压电源的负极和发射器件的负极之间接入电流表,所述电流表的电流值表征作用于盖板与基板上的压力值。
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