[发明专利]4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法无效
| 申请号： | 200910023384.8 | 申请日： | 2009-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101602503A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;郭辉;王党朝;张义门;汤晓燕;王悦湖;王德龙 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C01B31/04 | 分类号： | C01B31/04;C30B29/02 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法，主要解决4H-SiC硅面外延生长石墨烯时，产生的石墨烯面积太小、均匀性不高的问题其方法是：对4H-SiC硅面进行清洁处理，以去除表面有机残余物和离子污染物；通入氢气和丙烷，对4H-SiC硅面进行氢刻蚀，以去除表面划痕，形成规则的台阶状条纹；通入硅烷去除氢刻蚀在表面带来的氧化物；在氩气环境下，通过加热，蒸发掉硅原子，使得碳原子以sp2方式在表面重构形成外延石墨烯。本发明可应用于外延石墨烯材料的制作。 | ||
| 搜索关键词： | sic 外延 生长 石墨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种4H-SiC硅面外延生长石墨烯的方法，包括如下过程：1)对4H-SiC(0001)面进行表面清洁处理；2)将4H-SiC样品放置在CVD炉腔中，真空度2.4×10-6mbar，并通入流量为60～100l/min的氢气，升温至1400～1500℃，再通入流量为8～12ml/min丙烷，升温至1500～1650℃，在压力为90～100mbar下保持10～20分钟，以去除样品表面划痕，形成规则的台阶状条纹；3)把4H-SiC样品放置在真空度为2.4×10-6mbar的CVD炉腔中，再通入流量为15～25l/min的氢气，升温至950～1050℃，保持6～10分钟；降温至840～860℃，通入流量为0.5ml/min的硅烷，保持1～5分钟，以去除由于氢刻蚀所带来的表面氧化物；4)通入流量为1～3l/min，压力为890～910mbar的氩气，升温至1590～1610℃，持续30～60分钟，完成外延石墨烯的生长。
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