[发明专利]高精度电压基准电路无效
| 申请号： | 200910023592.8 | 申请日： | 2009-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101667050A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 刘成;魏廷存;孙井龙 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 | 代理人： | 黄毅新 |
| 地址： | 710077陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高精度电压基准电路，包括耗尽型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M5，其特点是还包括一个耗尽型NMOS晶体管M3，所述耗尽型NMOS晶体管M3的漏极连接正电源VDD，耗尽型NMOS晶体管M3的栅极和源极相连并与耗尽型NMOS晶体管M4的漏极连接，耗尽型NMOS晶体管M4的栅极和源极相连并连接到增强型NMOS晶体管M5的漏极，增强型NMOS晶体管M5的栅极和漏极相连接，增强型NMOS晶体管M5的源极和负电源VSS相连接，增强型NMOS晶体管M5的栅极即为电压基准的输出端。由于耗尽型NMOS晶体管M3和耗尽型NMOS晶体管M4组成共源共栅电路，具有很高的输出阻抗，从而稳定了电压基准的输出。 | ||
| 搜索关键词： | 高精度 电压 基准 电路 | ||
【主权项】：
1、一种高精度电压基准电路，包括耗尽型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M5，其特征在于，还包括一个耗尽型NMOS晶体管M3，所述耗尽型NMOS晶体管M3的漏极连接正电源VDD，耗尽型NMOS晶体管M3的栅极和源极相连并与耗尽型NMOS晶体管M4的漏极连接，耗尽型NMOS晶体管M4的栅极和源极相连并连接到增强型NMOS晶体管M5的漏极，增强型NMOS晶体管M5的栅极和漏极相连接，增强型NMOS晶体管M5的源极和负电源VSS相连接，增强型NMOS晶体管M5的栅极即为电压基准的输出端，耗尽型NMOS晶体管M3、耗尽型NMOS晶体管M4和增强型NMOS晶体管M5的衬底都与其各自的源极相连接。
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