[发明专利]锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路

摘要

本发明公开了一种锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路，由增强型PMOS晶体管M1、电阻R1、耗尽型NMOS晶体管M2组成电平转换电路，电平转换电路的输入端为COUT_1，输出端为电阻R1一端的COUT_2；增强型PMOS晶体管M1的源极连接正电源VDD，栅极连接电路的输入端COUT_1，漏极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接耗尽型NMOS晶体管M2的漏极，耗尽型NMOS晶体管M2的栅极和源极短接并连接到负电源VM。由于电平转换电路采用耗尽型NMOS晶体管M2，在V_GS＝0的情况下即可导通且提供极小的恒定电流，保证了正确的电平转换功能，降低了贯通电流，进而降低电路功耗。流过NMOS晶体管M2的最大电流由现有技术的800nA降低到110nA，比现有技术电流减小了86％。

主权项

1、一种锂电池充放电保护芯片中的输出驱动电路，包括增强型PMOS晶体管M1、增强型PMOS晶体管M3、增强型PMOS晶体管M5、增强型PMOS晶体管M7、增强型NMOS晶体管M4、增强型NMOS晶体管M6、增强型NMOS晶体管M8、电阻R1、电阻R2、电阻R3，其特征在于：还包括一个耗尽型NMOS晶体管M2，增强型PMOS晶体管M3、增强型NMOS晶体管M4以及电阻R2组成第二级反相器，增强型PMOS晶体管M5、增强型NMOS晶体管M6以及电阻R3组成第三级反相器，增强型PMOS晶体管M7、增强型NMOS晶体管M8组成第四级反相器，增强型PMOS晶体管M1、电阻R1、耗尽型NMOS晶体管M2组成电平转换电路，电平转换电路的输入端为COUT 1，输出端为电阻R1一端的COUT 2；增强型PMOS晶体管M1的源极连接正电源VDD，栅极连接电路的输入端COUT 1，漏极连接电阻R1的一端，电阻R1的另一端连接耗尽型NMOS晶体管M2的漏极，耗尽型NMOS晶体管M2的栅极和源极短接并连接到负电源VM。