[发明专利]一种Mg-Si高阻尼合金的制备方法无效
申请号: | 200910023843.2 | 申请日: | 2009-09-09 |
公开(公告)号: | CN101649408A | 公开(公告)日: | 2010-02-17 |
发明(设计)人: | 王锦程;赖云亭;杨根仓;杨长林 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C22C23/00 | 分类号: | C22C23/00;C22C1/03;C22C1/06;C22F1/06 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 | 代理人: | 王鲜凯 |
地址: | 710072陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种Mg-Si高阻尼合金的制备方法,其特征在于:以Mg-Si二元合金为基础熔炼,其中Si元素含量为:5~6wt.%Si,余量为Mg;Si以Mg-10wt.%Si的中间合金形式加入,则中间合金含量为50~60wt.%,Mg则采用工业纯镁;采用往复挤压(Reciprocating Extrusion,RE)是大塑性变形方式的一种,是细化晶粒的有效手段之一,且能够使增强颗粒在基体上更加均匀分布,显著消除材料内部的孔隙等缺陷,降低复合材料中空隙和增强相的团聚对材料的割裂作用,减小裂纹产生倾向。 | ||
搜索关键词: | 一种 mg si 阻尼 合金 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种Mg-Si高阻尼合金的制备方法,其特征在于:以Mg-Si二元合金为基础,其中Si元素含量为:5~6wt.%Si,余量为Mg;Si以Mg-10wt.%Si的中间合金形式加入,则中间合金含量为50~60wt.%,Mg则采用工业纯镁;所述的wt为质量分数;具体步骤如下:步骤1:将坩埚预热到250℃,在坩埚内壁刷镁合金熔炼通用的坩埚涂料;步骤2:将坩埚加热到300℃,将工业纯Mg加入坩埚并开始通入CO2+0.5vol%SF6混合气体进行保护;步骤3:继续升温至镁完全熔化后,于730℃加入Mg-10wt.%Si中间合金;步骤4:继续升温至780℃,保温并搅拌使中间合金充分熔化;步骤5:降温至750℃,以0.5wt.%的C2Cl6作为精炼剂精炼3分钟,再通入经充分干燥的Ar气吹洗3-6分钟;步骤6:静置20分钟,并将温度降至720℃,在预热至300℃的石墨型中浇铸成的铸锭;步骤7:将铸锭车削去表皮,机加工成和的棒料;步骤8:将往复挤压模具合模后,在两端的挤压桶中分别装入和的棒料,在300℃、7MPa下用两个阳模在两端加压进行预挤压,并保压30min;步骤9:将模具固定于模具翻转机构上,在320~360℃,用压力机压下U型挤压杆,然后取下U型挤压杆,翻转模具,重新再放上U型挤压杆重复上述挤压过程,完成4道次的往复挤压,挤压压力为7~10MPa,挤压比为12.76∶1;步骤10:待模具冷却后,开模并取出被挤压的Mg-Si合金。
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