[发明专利]基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法无效

专利信息
申请号: 200910024217.5 申请日: 2009-10-10
公开(公告)号: CN101671815A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 张景文;王东;胡亚楠;李高明;侯洵 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C23C16/40 分类号: C23C16/40;C30B29/16;C30B28/14
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 代理人: 陆万寿
地址: 710049陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法,(1)设置程控扩散炉工作参数;(2)制备蒸发源:将高纯ZnO粉末和高纯C粉按摩尔比1∶2混合均匀得到混合物,以此混合物作为程控扩散炉的蒸发源;(3)制备ZnO纳米/微米结构:将步骤(2)所述蒸发源置于程控扩散炉中,启动程控扩散炉加热蒸发源获得ZnO纳米/微米结构。采用本发明的方法,能制备纯度>99.999%具有长矛状形貌的ZnO纳米/微米结构;同时,此结构与其它ZnO纳米结构相比,具有优良的光学性能,该方法具有工艺简单,可控性和可重复性高,适用于大面积ZnO纳米结构制备等优点。
搜索关键词: 基于 cvd 法制 长矛 zno 纳米 微米 结构 方法
【主权项】:
1、基于CVD法制备长矛状ZnO纳米/微米结构的方法,其特征在于:(1)设置程控扩散炉工作参数:设置本底真空度为1.2Pa、最高加热温度为1100℃;程控扩散炉使用石英反应炉管;调节载气为Ar气,调节阀门控制流量为10-40sccm,Ar气压保持在1-3×103Pa;Ar气纯度>99.999%;基底材料为100面的p型Si,基底温度设定为400-700℃;蒸发源的加热温度为800-1000℃,蒸发源质量为5-20克;(2)制备蒸发源:将高纯ZnO粉末和高纯C粉按摩尔比1∶2混合均匀得到混合物,以此混合物作为程控扩散炉的蒸发源;(3)制备ZnO纳米/微米结构:将步骤(2)所述蒸发源置于程控扩散炉中,启动程控扩散炉加热蒸发源获得ZnO纳米/微米结构;所述ZnO纳米/微米结构的生长时间为1-3小时。
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