[发明专利]锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 200910024599.1 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101486439A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 叶敏华;施毅;濮林;徐子敬;张荣;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 施毅 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人： | 周新亚 |
| 地址： | 210093江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜主要由硅纳米线阵列和锗纳米点组成，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。其制备方法主要包括：利用P型或N型单晶硅，多晶硅做原始材料，利用刻蚀法制备大面积硅纳米线阵列。然后使用低压化学气相沉积技术，使用锗烷为气源，在大面积硅纳米线阵列衬底上制备锗点。是一种锗纳米点层数多、光效率高的大规模锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜产品，特别有利于进一步生产高效的光电子器件。其生产方法还具有生产设备成本低、生产效率高，产品成本可大幅度降低等优点，易于和现有的硅薄膜器件工艺结合，是生产锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜的一种优选方法。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 结构 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锗纳米点/硅纳米线阵列结构薄膜，其特征在于包括硅纳米线阵列和锗纳米点，所述锗纳米点分布在硅纳米线阵列的硅纳米线上。
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