[发明专利]一种应用于冶金硅太阳电池的减反射膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200910024893.2 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101527326A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王栩生;赵钰雪;辛国军;章灵军 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;G02B1/11;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215129江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于高纯冶金级多晶硅太阳电池的减反射膜，该减反射膜是由两层膜构成，第一层膜设在高纯冶金级多晶硅太阳电池的硅片衬底的表面，第一层膜的厚度为35～50nm，折射率为2.25～2.35；第二层膜设在第一层膜的表面，第二层膜的厚度为40～55nm，折射率为1.95～2.05；两层膜的成分均为氮化硅；两层膜的综合膜厚为82～89nm，综合折射率2.03～2.12。该减反射膜可以明显降低电池表面对光的反射，提高高纯冶金级(UMG)多晶硅太阳电池的光电转化效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 冶金 太阳电池 减反射膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种应用于高纯冶金级多晶硅太阳电池的减反射膜，该减反射膜是由两层膜构成，第一层膜设在高纯冶金级多晶硅太阳电池的硅片衬底的表面，第二层膜设在第一层膜的表面，其特征在于：第一层膜的厚度为35～50nm，折射率为2.25～2.35；第二层膜的厚度为40～55nm，折射率为1.95～2.05；两层膜的成分均为氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
