[发明专利]大面积亚微米有序结构图形的生成方法无效
| 申请号： | 200910025235.5 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101549851A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 张瑞英;王强斌;杨辉;董建荣 | 申请（专利权）人： | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大面积亚微米有序结构图形的生成方法，涉及微纳米级制造领域，其特征在于包括：首先，在清洁的初制衬底表面化学键合或物理吸附一层符合大小与形状要求的单层粒子；然后，在所述衬底及单层粒子上沉积生成金属薄膜层；继而，采用适当的有机溶剂溶解该单层粒子，并将单层粒子连同沉积在其表面的金属薄膜一并剥离，在初制衬底表面形成金属掩膜图形；最后，采用适当的方法将金属掩膜图形转移到实需衬底，生成有序的亚微米结构图形，并将掩模金属层去除。实施本发明大面积亚微米有序结构图形的生成方法，其具有结构图形的生成灵活可控、衬底选择性广、大面积生成易于实现，及成本低廉和无需昂贵加工设备的有益效果。 | ||
| 搜索关键词： | 大面积 微米 有序 结构 图形 生成 方法 | ||
【主权项】：
1.大面积亚微米有序结构图形的生成方法，其特征在于包括步骤：步骤一：在初制衬底表面预制备一层符合结构图形大小与形状要求的单层粒子，且相邻粒子之间空隙为裸露的衬底表面；步骤二：在所述初制衬底及单层粒子上沉积生成金属薄膜层；步骤三：采用有机溶剂溶解所述单层粒子，并将沉积在其表面的金属薄膜剥离，在初制衬底表面形成金属掩膜图形；步骤四：将所述金属掩模图形转移至实需衬底，并通过转移制程在实需衬底上生成有序的亚微米结构图形。步骤五：去除掩模金属层。
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