[发明专利]一种无定形纳米硅线的制备方法及其在锂电池负极上的应用无效

专利信息
申请号: 200910025669.5 申请日: 2009-03-05
公开(公告)号: CN101684548A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 崔立峰 申请(专利权)人: 镇江科捷锂电池有限公司
主分类号: C23C16/24 分类号: C23C16/24;H01M4/26
代理公司: 南京知识律师事务所 代理人: 卢亚丽
地址: 212013江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明属于锂离子二次电池技术领域,具体为无定形纳米硅线的的制备方法及在锂电池负极上的应用。将不锈钢箔置于真空炉中,真空炉抽真空至1Torr以下,加热至500±20℃;待温度稳定后充入硅烷气体,硅烷流量控制在2-10sccm,真空炉内气压控制在5-20Torr;待预设气压达到后开始计时,反应时间20-30分钟,时间到后停止加热,待真空炉内温度冷却;即得到无定形纳米硅线。本发明所使用的方法成本低,工艺简单,节省人力物力。所得到的无定形硅纳米线作为锂电池负极具有容量高,寿命长,安全性能好等优点。
搜索关键词: 一种 无定形 纳米 制备 方法 及其 锂电池 负极 应用
【主权项】:
1、一种无定形纳米硅线的的制备方法,具体为:将不锈钢箔置于真空炉中,真空炉抽真空至1Torr以下,加热至500±20℃;待温度稳定后充入硅烷气体,硅烷流量控制在2-10sccm,真空炉内气压控制在5-20Torr;待预设气压达到后开始计时,反应时间20-30分钟,时间到后停止加热,待真空炉内温度冷却;除去硅烷气体,即得到无定形纳米硅线。
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