[发明专利]增加顶发射型有机发光二极管对比度的结构无效

专利信息
申请号: 200910026492.0 申请日: 2009-04-22
公开(公告)号: CN101540374A 公开(公告)日: 2009-09-23
发明(设计)人: 黄维;陈春燕;陈淑芬;谢军;解令海 申请(专利权)人: 南京邮电大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 代理人: 叶连生
地址: 210003江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 增加顶发射型有机发光二极管对比度的结构。该方法利用一光输出耦合层覆盖于半透明金属电极(阴极)表面,以改变外部环境光进入阴极表面的反射和透射能量分布。本发明将器件视为一个多层膜系统,运用菲涅耳系数矩阵转移理论推导该多层膜系统的反射率公式,借助计算机获得该多层膜系统的反射率随光输出耦合层厚度变化的曲线,据此将光输出耦合层的厚度确定为该多层膜系对环境光具有最低反射率时的厚度。数据拟合结果表明,在阴极表面覆盖适宜厚度的光输出耦合层能够有效减少器件对外部环境光的反射,从而达到增加器件对比度的效果。
搜索关键词: 增加 发射 有机 发光二极管 对比度 结构
【主权项】:
1.一种增加顶发射型有机发光二极管对比度的结构,其特征在于该结构包括:底层为不透明的基底(11),在基底(11)上为一反射电极用作阳极(12),在阳极(12)上为用于发光层的有机薄膜结构(13),在有机薄膜结构(13)上为用作阴极(14)的半透明阴极结构,在阴极(14)的上表面为一光输出耦合层,用于减小二极管对于环境光的反射,形成一个多层膜结构。
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