[发明专利]一种给溅射镀膜阴极施加磁场的方法有效
申请号: | 200910027040.4 | 申请日: | 2009-05-25 |
公开(公告)号: | CN101570851A | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 狄国庆 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陶海锋 |
地址: | 215123江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种给溅射镀膜阴极施加磁场的方法,采用磁场辅助溅射方式镀膜,靶材和基片平行设置于电场中,靶材位于阴极表面,使靶材和基片之间形成等离子区,离子轰击靶材产生溅射,溅射出的靶材原子或分子沉积在基片上形成薄膜,其特征在于:在基片的背侧设置一个磁极朝向靶材方向的永久磁铁或电磁铁,在所述靶材背侧设置一铁磁性片材,使得所述靶材位于磁场中,磁场的强度分布均匀、方向垂直于靶材表面设置。本发明的方法能够大幅度提高溅射镀膜的速率,大幅度提高镀膜的结晶质量;能整体比较均匀地刻蚀靶材,靶材的利用率可以提高到85~90%;同时避免了冷却水对磁铁的腐蚀影响,可以在较高温度下实现溅射,更利于提高靶材的溅射速率。 | ||
搜索关键词: | 一种 溅射 镀膜 阴极 施加 磁场 方法 | ||
【主权项】:
1.一种给溅射镀膜阴极施加磁场的方法,采用磁场辅助溅射方式镀膜,靶材和基片平行设置于电场中,靶材位于阴极表面,使靶材和基片之间形成等离子区,离子轰击靶材产生溅射,溅射出的靶材粒子沉积在基片上形成薄膜,其特征在于:在基片的背侧设置一个磁极朝向靶材方向的永久磁铁或电磁铁,在所述靶材背侧设置一铁磁性片材,使得所述靶材位于磁场中,磁场的方向垂直于靶材表面设置。
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