[发明专利]一种表面等离激元晶体传感器及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200910027820.9 申请日: 2009-05-15
公开(公告)号: CN101551330A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 王振林;李媛媛;潘剑;詹鹏 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: G01N21/59 分类号: G01N21/59;G01N21/49;G01N21/31;G01N21/65;B82B1/00;B82B3/00
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 柏尚春
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种表面等离激元晶体传感器及其制备方法。该传感器包括表面周期性起伏的准三维金属半球壳膜,所述金属半球壳膜由金属纳米空心半球壳组成且形成二维六角密堆排列,相邻半球壳相互连接,任意三个相邻半球壳之间具有微孔。该传感器的制备方法为:将微米或亚微米介质微球通过自组装技术获得的胶体晶体作为模板;利用物理或化学的沉积方法,在模板微球的表面沉积金属纳米颗粒,直至金属的沉积量使得纳米颗粒形成连续的金属半球壳膜;再利用物理或化学的方法去除胶体晶体模板,得到由金属纳米空心半球壳构成的表面等离激元晶体传感器。本发明具有制备工艺简单、成本低、稳定性好、敏感度高、具有可重复性和操作简单的优点。
搜索关键词: 一种 表面 离激元 晶体 传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
1、一种表面等离激元晶体传感器,其特征在于:它包括表面周期性起伏的准三维金属半球壳膜,所述金属半球壳膜由金属纳米空心半球壳组成且形成二维六角密堆排列,相邻半球壳相互连接,任意三个相邻半球壳之间具有微孔。
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