[发明专利]一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法无效
| 申请号： | 200910027873.0 | 申请日： | 2009-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101892515A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 陈宝昌 | 申请（专利权）人： | 扬州华尔光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06;B28D5/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 225600 江苏省高邮市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法，该方法突破了单晶硅片直径的限制，从目前的8英寸向12英寸发展；降低单晶硅片中氧碳元素的含量，提高单晶硅片的电学性能，该方法包括以下步骤：1、采用高纯多晶硅原料；2、使用高纯涂层石英坩埚，最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质；3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶；4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶；5、对硅单晶进行切方、滚圆处理；6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层；7、利用多线切割机，辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工，生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 低氧 太阳能 单晶硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种大直径低氧碳太阳能单晶硅片的制备方法，其特征在于：该方法包括以下步骤：1、采用高纯多晶硅原料；2、使用高纯涂层石英坩埚，最大限度阻隔氧元素的析出渗入熔硅中反应生产新的杂质；3、在高纯氩气和高规格热场环境下生长硅单晶；4、采用直拉式单晶炉制备大直径硅单晶；5、对硅单晶进行切方、滚圆处理；6、采用碱腐工艺去除单晶表面损伤层；7、利用多线切割机，辅以切割线、碳化硅和切削液进行切片加工，生产出超过薄低氧碳的高效单晶硅片。
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