[发明专利]晶体硅太阳能电池片光致衰减特性的改善方法及专用装置有效
| 申请号： | 200910028129.2 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101478017A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 董仲;张彩霞;倪志春;王艾华;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中电电气（南京）光伏有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/324;H01L21/268 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 程化铭 |
| 地址： | 211100江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池片光致衰减特性的改善方法及专用装置。其工艺步骤为：将晶体硅太阳能电池片退火处理，然后将晶体硅太阳能电池片加热并同时光照一段时间。使用本发明方法处理后的电池片，其他外观性能和可焊性不变，且转换效率不再因光照而下降。本发明方法不需要昂贵的设备，操作简单实用，效果好，处理成本低，能为企业大大提高经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体 太阳能电池 片光致 衰减 特性 改善 方法 专用 装置 | ||
【主权项】：
1、一种晶体硅太阳能电池片光致衰减特性的改善方法，其工艺步骤为：A、将晶体硅太阳能电池片进行退火处理；B、对晶体硅太阳能电池片加热光照，即：对晶体硅太阳能电池片加热并同时对晶体硅太阳能电池片在强光下照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
