[发明专利]一种高取向度PZT压电薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910029486.0 | 申请日： | 2009-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN101864568A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 冯士维;钟素娟 | 申请（专利权）人： | 冯士维;钟素娟 |
| 主分类号： | C23C28/00 | 分类号： | C23C28/00;C23C14/34;C23C16/44;C23C14/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100080 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高取向度PZT压电薄膜的制备方法。其特征在于在硅片上先后生长SiO2层、Ti层、Pt层、PbTiO3(简写PT层，用作籽晶层或称种子层，采用MOCVD或溅射或MBE方法制作)、PZT层(旋涂或溅射)、上电极层。在PT和PZT生长过程中，对PT层、PZT层进行一次或多次快速退火处理(RTP)。该方法与传统的硅/二氧化硅/Pt/PZT/上电极结构相比，本发明公开的PZT压电薄膜具有更高的择优取向和更大的机电耦合系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 取向 pzt 压电 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
高取向度PZT压电薄膜的制备方法。其特征在于在硅片上从下而上先后生长SiO2层、Ti层、Pt层、PbTiO3层(又名PT层，用作籽晶层、种子层，采用MOCVD或溅射、或MBE方法制作)、PZT层(旋涂或溅射)、上电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于冯士维;钟素娟，未经冯士维;钟素娟许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910029486.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耐久轧光面料的整理方法
- 下一篇：一种高性能钛合金防爆工具及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
