[发明专利]晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，包括以下步骤：1)将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2)采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；3)将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成凹槽。采用本发明的制备工艺所制备的刻槽印刷电极，具有较低的电极电阻及接触电阻，与传统采用的激光刻槽埋栅电极相比，本发明的设备成本低，生产效率高，且适用于晶体硅太阳电池工业化生产。

主权项

1、一种晶体硅太阳电池刻槽印刷电极制备工艺，其特征在于包括以下步骤：1)将硅片清洗制绒后在硅片表面制备一层致密的化学腐蚀掩膜层；2)采用丝网印刷腐蚀性浆料选择性的去除电极栅线区域的化学腐蚀掩膜层；3)将硅片置于TMAH水溶液中进行腐蚀并在电极栅线区域形成一定深度的凹槽。4)扩散制作PN结后进行氮化硅膜的制备，最后制备电极。