[发明专利]一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法

摘要

本发明涉及一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法。它具有如下步骤：在硅片的正面沉积一层氮化硅掩膜层；把氮化硅刻蚀浆料印刷在硅片上所需要刻槽的电极部位，烘干刻蚀浆料，腐蚀掉该部位对应的氮化硅膜；把腐蚀后的硅片放入盛有碱溶液的容器中进行刻槽，即通过使碱溶液与需要刻槽部位的硅片发生化学反应，从而去除生成物来完成对硅片刻槽的目的；对刻槽后的硅片用去离子水清洗，再经过干燥后完成刻槽。采用该方法刻槽不会给硅片造成损伤和缺陷，破片率低；操作方便，可以大批量同时刻槽，产出率高；大范围的槽高和槽宽使得后续电极制作中丝网印刷或自对准电镀都成为可能；设备简单，成本低。

主权项

1.一种晶体硅太阳能电池刻槽埋栅的方法，其特征是具有如下步骤：(1)在硅片的正面沉积一层氮化硅掩膜层；(2)把氮化硅刻蚀浆料印刷在硅片上所需要刻槽的电极部位，烘干刻蚀浆料，腐蚀掉该需要刻槽的电极部位对应的氮化硅膜；(3)把腐蚀后的硅片放入盛有碱溶液的容器中进行刻槽，即通过使碱溶液与需要刻槽部位的硅片发生化学反应，从而去除生成物来完成对硅片刻槽的目的；(4)对刻槽后的硅片用去离子水清洗，再经过干燥后完成刻槽。