[发明专利]太阳能电池硅片的表面扩散处理工艺无效
| 申请号： | 200910029715.9 | 申请日： | 2009-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101587920A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈亮 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，特别是涉及一种太阳能电池硅片的表面扩散处理工艺。该工艺在进行扩散源淀积之前，在扩散炉中通入含氯气体及氧气对硅片表面进行掺氯氧化处理，使硅片表面形成一层含氯的二氧化硅层，然后进行扩散源淀积。通过在常规扩散工艺前先进行掺氯氧化处理，可以有效降低硅片的表面复合，获得一个较好的表面态，从而提高成品电池的性能。新工艺不需增加新的工艺设备和增添人工，对产能无任何影响，不对环境造成污染，很适合产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 硅片 表面 扩散 处理 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池硅片的表面扩散处理工艺，其特征在于：在进行扩散源淀积之前，在扩散炉中通入含氯气体及氧气对硅片表面进行掺氯氧化处理，使硅片表面形成一层含氯的二氧化硅层，然后进行扩散源淀积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州天合光能有限公司，未经常州天合光能有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910029715.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
