[发明专利]高阻半导体材料的随动进电电火花加工方法及装置无效
| 申请号： | 200910029976.0 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101508042A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 刘志东;汪炜;田宗军;邱明波;黄因慧;刘正埙 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | B23H7/00 | 分类号： | B23H7/00 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 瞿网兰 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高阻半导体材料的随动进电电火花加工方法及装置，其关键是在电火花加工过程中使与被加工半导体材料相接触的进电电极与加工用的放电电极之间的相对位置保持不变，同时使所述进电电极的与半导体材料表面相接触的触点作绕进电电极轴线的旋转运动或绕放电电极的单向回转运动或绕放电电极的往复摆动运动以消除进电电极与半导体接触表面产生的不导电钝化膜。本发明首先可以使半导体材料放电加工极间的体电阻维持不变，并能防止钝化膜的产生，使进电端始终维持较低及恒定的接触势垒和接触电阻，降低原固定进电接触方式因在进电接触点产生电化学反应，形成不导电的钝化膜，致使进电点接触电阻在放电加工过程中陡然增加，阻碍电能的输入，使加工无法延续的现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 随动进电 电火花 加工 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、一种高阻半导体材料的随动进电电火花加工方法，其特征是在电火花加工过程中使与被加工半导体材料相接触的进电电极与加工用的放电电极之间的相对位置保持不变，同时使所述进电电极与半导体材料表面相接触的触点作绕进电电极轴线的旋转运动或绕放电电极的单向回转运动或绕放电电极的往复摆动运动以消除进电电极与半导体材料接触表面产生的不导电钝化膜。
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