[发明专利]减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管有效
| 申请号： | 200910030068.3 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101510562A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 孙伟锋;刘斯扬;钱钦松;夏晓娟;陆生礼;时龙兴 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陆志斌 |
| 地址： | 21009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型半导体衬底，在N型半导体衬底上面设置有P型阱区，在P型阱区上设置有N型阱区和N型掺杂半导体区，在N型阱区上设有N型源区和P型接触区，在N型掺杂半导体区上设有N型漏区，而场氧化层，金属层，栅氧化层，多晶硅栅以及氧化层设置在所述器件的上表面，其特征在于在P型阱区内设有轻掺杂浅N型区，所述的轻掺杂浅N型区位于N型阱区与N型掺杂半导体区之间，且轻掺杂浅N型区覆盖栅氧化层与N型掺杂半导体区形成的拐角。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 载流子 效应 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1、一种减少热载流子效应的N型横向双扩散金属氧化物半导体管，包括：N型半导体衬底(9)，在N型半导体衬底(9)上面设置有P型阱区(10)，在P型阱区(10)上设置有N型阱区(8)和N型掺杂半导体区(11)，在N型阱区(8)上设有N型源区(6)和P型接触区(7)，在N型掺杂半导体区(11)上设有N型漏区(12)，在N型阱区(8)的表面设有栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自N型阱区(8)延伸至P型阱区(10)和N型掺杂半导体区(11)，在N型阱区(8)表面的N型源区(6)、P型接触区(7)和栅氧化层(3)的以外区域及N型掺杂半导体区(11)表面的N型漏区(12)以外区域设有场氧化层(1)，在栅氧化层(3)的上表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在场氧化层(1)、P型接触区(7)、N型源区(6)、多晶硅栅(4)及N型漏区(12)的表面设有氧化层(5)，在N型源区(6)、P型接触区(7)、多晶硅栅(4)和N型漏区(12)上分别连接有金属层(2)，其特征在于在P型阱区(10)内设有轻掺杂浅N型区(13)，所述的轻掺杂浅N型区(13)位于N型阱区(8)与N型掺杂半导体区(11)之间，且轻掺杂浅N型区(13)覆盖栅氧化层(3)与N型掺杂半导体区(11)形成的拐角。
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