[发明专利]硅芯片边缘的处理方法有效
| 申请号： | 200910030078.7 | 申请日： | 2009-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101851776A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 洪圣雄;邱锦桢;杨帅;陶智华 | 申请（专利权）人： | 昆山中辰矽晶有限公司 |
| 主分类号： | C25F3/12 | 分类号： | C25F3/12;C25F3/30;C30B33/10 |
| 代理公司： | 昆山四方专利事务所 32212 | 代理人： | 盛建德 |
| 地址： | 215316 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅芯片边缘的处理方法，利用电化学反应原理，将硅芯片作为电化学反应的阳极，将石墨作为电化学反应的阴极，并通过酸液导通，在适宜的电压和电流下持续反应一定的时间，基于尖端放电原理，在电流的作用下硅芯片上凸起部位的反应速度大于下凹部位的反应速度，反应设定时间后硅芯片边缘倒角面的粗糙度降低，砂轮纹路得到改善，当硅芯片边缘倒角面上的移除量达到10微米以上时，倒角面上的砂轮纹路明显减轻，粗糙度降低，呈类似镜面的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 边缘 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种硅芯片边缘的处理方法，其特征在于：利用电化学反应原理，将硅芯片作为电化学反应的阳极与电源正极相连通，将石墨作为电化学反应的阴极与电源负极相连通，硅芯片和石墨置于酸液中并通过酸液导通；接通电路，在设定电压和电流下持续反应设定时间，基于尖端放电原理，在电流的作用下硅芯片上凸起部位的反应速度大于下凹部位的反应速度，反应设定时间后硅芯片边缘倒角面的粗糙度降低，砂轮纹路得到改善。
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