[发明专利]晶圆级芯片尺寸封装法

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片尺寸封装法，按如下步骤进行：a.在晶圆的正面固定覆盖一层玻璃，将晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度；b.对晶圆进行各向同性湿法蚀刻；c.对晶圆进行各向异性湿法蚀刻在晶圆背面上按设计形成槽；d.对晶圆进行干法蚀刻，在晶圆背面的槽面上按设计形成孔，孔将晶圆正面部分的导通点外露于晶圆背面；e.对晶圆背面按设计进行电镀形成与导通点数量对应的金属线，金属线连通导通点和晶圆背面需植焊球的地方；f.按设计在晶圆背面需植焊球的地方植焊球；g.将晶圆切割成单颗封装好的器件。本发明结合湿法蚀刻和干法蚀刻对晶圆背面进行槽、孔的形成，提高生产效率和降低生产成本。

主权项

一种晶圆级芯片尺寸封装法，其特征在于：按如下步骤进行：a.在晶圆的正面固定覆盖一层玻璃(7)，通过研磨机将晶圆从背面研磨减薄至设定尺寸厚度；b.对晶圆进行各向同性湿法蚀刻：将晶圆冲水清洗后，浸入盛有HNA蚀刻剂的蚀刻槽中，以22℃的温度、7μm/min的蚀刻速率蚀刻1.5min后，将晶圆冲水清洗；c.对晶圆进行各向异性湿法蚀刻：按如下步骤进行：c1.对晶圆背面甩胶：以2000rpm的转速转动甩胶60s后，在晶圆背面形成8μm的胶厚；c2.将甩胶完成后的晶圆以80℃的温度烘烤4min；c3.对晶圆背面以17mW/cm2的强度按设计曝光17sec后，再以25℃的温度显影3min；c4.将晶圆冲水清洗后，以125℃的温度烘烤25min；c5.将晶圆浸入盛有KOH蚀刻剂的蚀刻槽中，以85℃的温度、1.4μm/min的蚀刻速率、54.74°的蚀刻倾角蚀刻50min而在晶圆背面上按设计形成槽(3)后，将晶圆冲水清洗；c6.对晶圆背面去胶：将晶圆浸泡在异丙醇中，对晶圆用刷子刷洗后，再用异丙醇超声清洗，将清洗干净的晶圆用气枪吹干；d.对晶圆进行干法蚀刻：按如下步骤进行：d1.对晶圆背面喷胶：在晶圆背面喷光刻胶12min，在晶圆背面形成光刻胶的胶厚为8μm；d2.将喷胶完成后的晶圆以90℃的温度烘烤4min；d3.对晶圆背面以17mW/cm2的强度曝光17sec后，再以25℃的温度显影3min；d4.将晶圆冲水清洗后，放入离心机中甩干；d5.将晶圆放入电感耦合等离子蚀刻机中，以10μm/min的蚀刻速率蚀刻4min而在晶圆背面的槽面上按设计形成孔(4)，所述孔将晶圆正面部分的导通点(2)外露于晶圆背面；d6.对晶圆背面去胶：将晶圆浸泡在异丙醇中，对晶圆用刷子刷洗后，再用异丙醇超声清洗，将清洗干净的晶圆用气枪吹干；e.对晶圆背面按设计要求进行电镀形成与导通点数量对应的金属线(5)，该金属线连通导通点和晶圆背面需植焊球的地方；f.按设计要求在晶圆背面需植焊球的地方植焊球(6)；g.并将晶圆沿切割线(8)切割成单颗封装好的器件(9)。