[发明专利]一种改良的非接触式位移测量方法及使用该方法的传感器无效
| 申请号： | 200910030263.6 | 申请日： | 2009-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101509752A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王磊 | 申请（专利权）人： | 无锡市纳微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/02 | 分类号： | G01B7/02 |
| 代理公司： | 无锡盛阳专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 顾吉云 |
| 地址： | 214028*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种改良的非接触式位移测量方法，其在工作过程中抗干扰性强，且其测量精度高，为此，本发明还提供了使用该方法的传感器。其包括基板、外围电路，其特征在于：所述基板上安装有均匀排布的巨磁电阻元件阵列，所述轨道结阵列上方安装有与巨磁电阻元件阵列平行的轨道，所述轨道上安装有激光光源，所述基板连接外围电路，所述巨磁电阻元件通过基板连接所述外围线路。所述巨磁电阻元件内通过脉冲电流，所述脉冲电流小于所述巨磁电阻元件自由层翻转的临界值，激光光源发出激光光束照射所述巨磁电阻元件，通脉冲电流的巨磁电阻元件受到激光光束照射其电阻发生变化，电阻的变化通过巨磁电阻元件外围的电路显示出来，从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件的位置信息，从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改良 接触 位移 测量方法 使用 方法 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种改良的非接触式位移测量方法，其特征在于：基板上安装有巨磁电阻元件阵列，所述巨磁电阻元件内通过脉冲电流，所述脉冲电流小于所述巨磁电阻元件自由层翻转的临界值，平行于所述基板的上方安装有可移动的激光光源，所述激光光源发出激光光束，所述激光光束照射所述巨磁电阻元件，通脉冲电流的巨磁电阻元件受到激光光束照射其电阻发生变化，电阻的变化通过巨磁电阻元件外围的电路显示出来，从而确定发生电阻变化的巨磁电阻元件的位置信息，从而得出与激光光源位置相对应的所测对象的位移或长度。
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