[发明专利]化学气相淀积材料生长设备的反应源进气分配方法与装置有效
申请号: | 200910030912.2 | 申请日: | 2009-04-20 |
公开(公告)号: | CN101519772A | 公开(公告)日: | 2009-09-02 |
发明(设计)人: | 韩平;吴军;王荣华;王琦;于乐;俞斐;赵红;华雪梅;谢自力;修向前;张荣;郑有炓 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈建和 |
地址: | 210093江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法,让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体,并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后,在合适的温度下进行反应以外延生长薄膜材料。对于分解温度较高的反应源气体,在输运至石墨反应腔进气端前需对其进行加热而使其预分解,这个过程是通过在导引气体的细石英管周围配置石墨管感应件、经射频加热的方法来实现的。 | ||
搜索关键词: | 化学 气相淀积 材料 生长 设备 反应 源进气 分配 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、CVD材料生长设备的反应源进气分配的方法,其特征是让分解温度相差较大的反应气源经各自的输运通道单独地进入反应腔体,并对分解温度较高的源气体进行加热预分解后再让其与分解温度较低的反应源气体充分混合后,在合适的温度下进行反应以外延生长薄膜材料。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的