[发明专利]纳米硅薄膜三叠层太阳电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种薄膜太阳电池及其制备方法，特指利用纳米硅薄膜材料制备的三叠层结构的薄膜太阳电池。采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制备氢化的纳米硅(nc-Si:H)薄膜。在柔性金属或聚酰亚胺膜衬底上，制备nc-Si:H/nc-Si:H/nc-Si:H薄膜三叠层结构太阳电池，顶电池，中电池和底电池采用N⁺NIPP⁺结构。利用射频溅射方法沉积Al/Al_xZn_1-xO双层背电极和Al_xZn_1-xO薄膜上电极。本发明的优点是避免使用非晶硅和昂贵的非晶锗硅，利用纳米硅宽的带隙可调范围和相对较高的吸收系数、低的光致衰减效应，在柔性衬底上制备厚度较小的高效稳定的纳米硅三叠层薄膜太阳电池。工艺简单、所用材料成本低，对环境无污染。

主权项

1、纳米硅薄膜三叠层太阳电池，其特征在于：从底层至上层依次为：柔性金属或聚酰亚胺膜衬底、双层底电极Al/AlxZn1-xO、N+NIPP+结构纳米硅底电池、N+NIPP+结构纳米硅中电池、N+NIPP+结构纳米硅顶电池和AlxZn1-xO上电极。