[发明专利]浅沟槽隔离结构的研磨装置及方法有效
| 申请号： | 200910031729.4 | 申请日： | 2009-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN101927453A | 公开（公告）日： | 2010-12-29 |
| 发明（设计）人： | 李健;李勇;曾明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B49/04;B24B49/12;B24B51/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种浅沟槽隔离结构的研磨装置，包括研磨部分、监测部分及控制部分。研磨部分用于研磨形成于氮化硅层上的二氧化硅层。监测部分用于投射下行的监测光到研磨面上，并接收经研磨面反射的上行光，以生成相应于上行光的感应信号。控制部分用于根据感应信号进行预定的比较后确定研磨面是否到达氮化硅层与二氧化硅层的分界处，并生成相应的控制信号，以控制研磨部分的研磨。本发明还提供一种对应的浅沟槽隔离结构的研磨方法。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 研磨 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种浅沟槽隔离结构的研磨装置，包括研磨部分、监测部分及控制部分；所述研磨部分用于研磨形成于氮化硅层上的二氧化硅层；所述监测部分用于投射下行的监测光到研磨面上，并接收经研磨面反射的上行光，以生成相应于所述上行光的感应信号；其特征在于：所述控制部分用于根据所述感应信号进行预定的比较后确定所述研磨面是否到达所述氮化硅层与所述二氧化硅层的分界处，并生成相应的控制信号，以控制所述研磨部分的研磨。
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