[发明专利]一种In2Te3相变记忆元件及其制备方法无效
| 申请号： | 200910031857.9 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101615654A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 殷江;朱颢;夏奕东;刘治国 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/28;C23C14/14;C23C14/35;C23C14/10 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种In2Te3相变记忆元件及其制备方法，采用In2Te3薄膜为相变记忆存储材料，所述In2Te3薄膜在室温下为非晶态，在经过450-470℃退火后变成结晶态，相变记忆元件的基本构型为三层结构，由一层In2Te3薄膜夹在顶电极膜与底电极膜之间构筑而成，由顶电极膜和底电极膜分别接出用金丝或铜丝制成引线。本发明在测试中实现了开关效应，具有如下特性：In2Te3薄膜结晶态与非晶态的电阻值差异明显，可以达到3～4个数量级；相变速度/读写速度快且工作电压低，所需的电压脉冲达到了ns量级；可以在高低阻态之间进行多次循环转变。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 in sub te 相变 记忆 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种In2Te3相变记忆元件，其特征是采用In2Te3薄膜为相变记忆存储材料，所述In2Te3薄膜在室温下为非晶态，在经过450-470℃退火后变成结晶态，相变记忆元件的基本构型为三层结构，由一层In2Te3薄膜(13)夹在顶电极膜(14)与底电极膜(11)之间构筑而成，由顶电极膜(14)和底电极膜(11)分别接出用金丝或铜丝制成引线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910031857.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
