[发明专利]对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法

摘要

本发明公开了一种对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，先对SOI衬底的底层Si进行厚度削减及抛光；再在其顶层Si生长薄膜金属；并对其正反面覆盖刻蚀阻挡层；对底层Si进行光刻或结合刻蚀，形成刻蚀窗口，并深度刻蚀至埋层SiO2，形成基于埋层SiO2的背面深孔与正面薄膜结构；去除SOI衬底上剩余的刻蚀阻挡层后在薄膜金属表面涂覆电子束抗蚀剂，并进行电子束直写曝光、显影、定影，得到所需的极限纳米级图形。藉由以SOI作为薄膜金属的衬底材料，并对SOI面向所需图形生成区域的背面进行深度刻蚀的工艺，极大地降低了电子束临近效应的不利影响，为在金属薄膜材料上生成极限纳米级图形提供了一种实施简便、图形精度高且成本低廉的电子束曝光改善方法。

主权项

对薄膜金属材料上电子束曝光临近效应的改善方法，其中所述薄膜金属材料生长在绝缘体上的硅衬底上，其中绝缘体上的硅衬底包括层叠状正面的顶层Si、中间的埋层SiO2和背面的底层Si，其特征在于包括步骤：I、对所述底层Si进行厚度削减及抛光；II、在所述顶层Si上生长薄膜金属；III、在所述薄膜金属及底层Si表面覆盖刻蚀阻挡层；IV、对所述底层Si光刻或结合刻蚀，形成刻蚀窗口；V、对所述底层Si刻蚀至埋层SiO2，形成基于埋层SiO2的背面深孔与正面薄膜的自支撑结构；VI、去除所述薄膜金属及底层Si的刻蚀阻挡层；VII、在所述薄膜金属涂覆电子束抗蚀剂；并对其进行电子束直写曝光、显影、定影，得到所需的极限纳米级图形。