[发明专利]一种太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法

摘要

本发明公开了一种太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法，其工艺步骤是：将已经扩散完毕的太阳能电池硅片一面沉积阻挡层掩膜；然后将太阳能电池硅片放入腐蚀液中，将太阳能电池硅片未沉积阻挡层掩膜的一面和侧面扩散层腐蚀掉，然后取出用去离子水冲洗；把太阳能电池硅片置于化学溶液中去除阻挡层掩膜，然后取出用去离子水冲洗。本发明方法，由于阻挡层在腐蚀溶液中腐蚀速度很慢甚至不腐蚀，而没有阻挡层掩膜的地方腐蚀速度很快，从而能有效的去除边沿和背面的扩散层硅，从而能有效的降低漏电并最终影响电池性能。并能减少硅片周边缺陷和隐裂，降低后续工艺碎片率，同时也可以控制两面不同的表面形貌。

主权项

1、一种太阳能电池硅片边缘及背面扩散层的刻蚀方法，其工艺步骤如下：a、将已经扩散完毕的太阳能电池硅片一面沉积阻挡层掩膜；b、然后将太阳能电池硅片放入腐蚀液中，将太阳能电池硅片未沉积阻挡层掩膜的一面和侧面扩散层腐蚀掉，然后取出用去离子水冲洗；c、把太阳能电池硅片置于化学溶液中去除阻挡层掩膜，然后取出用去离子水冲洗。