[发明专利]直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置无效
| 申请号： | 200910032626.X | 申请日： | 2009-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101586251A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 施海明;陆景刚;张锦根;鄂林 | 申请（专利权）人： | 镇江环太硅科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/14 | 分类号： | C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 212216江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及18吋太阳能用硅单晶片的生产设备，具体是一种用直拉法生产硅单晶的生产设备中的直拉法生产18吋太阳能用硅单晶的热场装置。该装置包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。本发明可以保证在拉晶时有较高的拉速，较好的固液界面形状，气体在装置内的分布合理，有利于太阳能用单晶在较高的拉速下生长，获得平坦的固液界面。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉法 生产 18 太阳 能用 硅单晶 装置 | ||
【主权项】：
1、一种直拉法生产18时太阳能用硅单晶的热场装置，包括有外壳、安装在外壳中心的石墨坩埚、位于石墨坩埚内的石英坩埚、位于石墨坩埚外围的加热电极和位于石英坩埚内侧的导流筒，其特征是：所述加热电极在上、下方向上的长度为120-150毫米，加热电极的上沿距离导流筒的最短距离为60-85毫米之间，所述石墨坩埚低于石英坩埚20-30毫米。
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