[发明专利]绝缘体上硅材料的平板显示器驱动芯片及制备方法

摘要

显示器驱动芯片，由高压P型横向金属氧化物半导体管、高压N型横向金属氧化物半导体管、高压二极管和低压器件构成，各高压器件之间和高压与低压器件之间以始自埋氧层经过N型外延层终止于器件表面场氧并填充有二氧化硅的双槽隔离，在高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管电极下方的埋氧层上方设有部分N型或P型重掺杂埋层。制备方法：在P型衬底上制作埋氧层，在埋氧层上方制作部分N型或P型重掺杂埋层，淀积N型外延层，制作高压N型横向金属氧化物半导体管和高压二极管的高压P阱及高压P型横向金属氧化物半导体管的P型漂移区，高压管的缓冲层、低压器件的低压阱，源漏区及接触孔，蒸铝，反刻铝，形成电极和金属场板，钝化处理。

主权项

1、一种显示器驱动芯片，包括P型衬底(9)，在P型衬底(9)上设有埋氧层(7)，在埋氧层(7)上设有高压P型横向金属氧化物半导体管(1)、高压N型横向金属氧化物半导体管(2)、高压二极管(3)和低压器件(4)，其特征在于高压P型横向金属氧化物半导体管(1)与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)相邻且高压P型横向金属氧化物半导体管(1)的漏端与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)的源端相邻，高压二极管(3)位于高压N型横向金属氧化物半导体管(2)与低压器件(4)之间，在高压P型横向金属氧化物半导体管(1)一侧设有第一双槽结构，在高压P型横向金属氧化物半导体管(1)另一侧与高压N型横向金属氧化物半导体管(2)之间设有第二双槽结构，在高压N型横向金属氧化物半导体管(2)与高压二极管(3)之间设有第三双槽结构，在高压二极管(3)与低压器件(4)之间设有第四双槽结构，在低压器件(4)之间没有槽结构隔离，在低压器件(4)另一侧设有第五双槽结构，第一双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(91A)和第二氧化隔离层(91B)组成，第二双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(92A)和第二氧化隔离层(92B)组成，第三双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(93A)和第二氧化隔离层(93B)组成，第四双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(94A)和第二氧化隔离层(94B)组成，第五双槽结构由平行设置的第一氧化隔离层(95A)和第二氧化隔离层(95B)组成。