[发明专利]单层有机交叉点结构的电学存储器及其制备方法无效
| 申请号： | 200910033586.0 | 申请日： | 2009-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN101593554A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 施毅;李昀;邱旦峰;曹立强 | 申请（专利权）人： | 李昀 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;G11C16/02;H01L51/30;H01L51/40 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 | 代理人： | 周新亚 |
| 地址： | 210093江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明的单层有机交叉点结构的电学存储器，其结构包括基板、条形底电极、有机小分子层和条形顶电极，所述条形底电极镀在基板上，有机小分子层蒸镀在条形底电极和基板上，条形顶电极与条形底电极呈交叉状并蒸镀在有机小分子层上。在各条形底电极与条形顶电极交叉点之间的界面上可自发形成的纳米点即为电学存储器的各存储单元。此器件由于是在两个电极之间仅有一层功能层的单层有机存储器件，所以具有结构简单、新颖，而且器件性能优良，同时还具有制备方法简易、成本低廉等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 单层 有机 交叉点 结构 电学 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单层有机交叉点结构的电学存储器，其特征在于包括基板、条形底电极、有机小分子层和条形顶电极，所述条形底电极镀在基板上，有机小分子层蒸镀在条形底电极和基板上，条形顶电极与条形底电极呈交叉状并蒸镀在有机小分子层上。
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