[发明专利]一种碳化硅离子激活退火装置及碳化硅离子激活退火方法无效
| 申请号： | 200910035026.9 | 申请日： | 2009-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101651101A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李宇柱;倪炜江 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;C30B33/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙） | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅离子激活退火装置及碳化硅离子激活退火方法；所述碳化硅离子激活退火装置，包括高温炉、石墨坩埚；高温炉的炉壁上设有进气口和出气口；石墨坩埚位于高温炉的炉膛内；该石墨坩埚设有外壳、内壳和坩埚盖；内壳内部形成内膛；外壳和内壳间形成外膛；坩埚盖合上后，外壳与坩埚盖密封闭合，内壳顶端与坩埚盖之间存在间隙。所述碳化硅离子激活退火方法，包括：将待退火的碳化硅涂上一层保护层放入石墨坩埚的内膛中；将高纯碳化硅粉末置于石墨坩埚的外膛中；将惰性气体通入高温炉炉膛中；然后用高温炉进行加热，加热到1200℃-1800℃，并保持0.5-2小时。本发明使碳化硅离子激活退火加工方便，成本降低，同时使碳化硅表面光滑，成品率提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 离子 激活 退火 装置 方法 | ||
【主权项】：
1、一种碳化硅离子激活退火装置，其特征在于：该装置包括高温炉(1)、石墨坩埚(2)；所述高温炉(1)的炉壁上设有进气口(3)和出气口(4)；所述石墨坩埚(2)位于高温炉(1)的炉膛内；该石墨坩埚(2)设有外壳(7)、内壳(8)和坩埚盖(9)；内壳(8)内部形成内膛；外壳(7)和内壳(8)间形成外膛；坩埚盖(9)合上后，外壳(7)与坩埚盖(9)密封闭合，内壳(8)顶端与坩埚盖(9)之间存在间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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