[发明专利]一种掺镓金属硅及其定向凝固铸造方法无效
| 申请号： | 200910035676.3 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101694008A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 陈雪;黄强;黄振飞 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺镓金属硅及其定向凝固铸造方法，该方法步骤如下：将坩埚进行烘焙后，再进行氮化硅的喷涂和烘烤；将硅料装入坩埚，按掺杂浓度加入适量的镓；将多晶炉抽真空，通入保护气体，硅料加热至1440℃-1540℃熔化；通过定向凝固，使熔化的硅从下部到上部逐渐结晶；最后高温退火，形成用于切片做电池的多晶锭。本发明在铸造金属硅中加入镓，从而有效、经济并且方便的解决了金属硅电池的光致衰减，并更好的调整了P/N型号和电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 及其 定向 凝固 铸造 方法 | ||
【主权项】：
一种掺镓金属硅的定向凝固铸造方法，该方法步骤如下：(一)、将坩埚进行烘焙后，再进行氮化硅的喷涂和烘烤；(二)、将硅料装入坩埚，按掺杂浓度加入适量的镓；(三)、将多晶炉抽真空，通入保护气体，硅料加热至1440℃-1540℃熔化；(四)、通过定向凝固，使熔化的硅从下部到上部逐渐结晶；(五)、最后高温退火，形成用于切片做电池的多晶锭。
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