[发明专利]石墨烯与半导体纳米颗粒复合体系及其合成方法无效
申请号: | 200910035780.2 | 申请日: | 2009-10-14 |
公开(公告)号: | CN101696002A | 公开(公告)日: | 2010-04-21 |
发明(设计)人: | 耿秀梅;刘立伟;牛亮;邢振远;宋仁升;李伟伟;荣吉赞;程国胜 | 申请(专利权)人: | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | C01B31/00 | 分类号: | C01B31/00;C01B31/02 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 陈忠辉 |
地址: | 215125 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明揭示了一种纳米材料领域中的石墨烯与半导体纳米颗粒复合体系及其合成方法。该复合体系的构成包括单层或多层的石墨片层及半导体纳米颗粒,所述石墨片层与半导体纳米颗粒通过含有π键的吡啶、芘或其衍生物,与石墨烯在溶液中进行非共价复合;或者在石墨片层上通过化学氧化还原法修饰上羟基或羧基,并对半导体纳米颗粒表面进行氨基修饰,通过羟基或羧基与氨基的共价结合,形成石墨烯与半导体纳米颗粒复合体系。本发明能够切实改善石墨烯与半导体纳米颗粒的界面几何接触和能量匹配,为基于该复合体系的光电器件的工业应用创造了有利条件。 | ||
搜索关键词: | 石墨 半导体 纳米 颗粒 复合 体系 及其 合成 方法 | ||
【主权项】:
石墨烯与半导体纳米颗粒复合体系,其特征在于:所述复合体系的构成包括单层或多层的石墨片层及半导体纳米颗粒,其中所述石墨片层尺寸介于20nm~600μm,所述半导体纳米颗粒的尺寸介于2nm~100nm,石墨片层与半导体纳米颗粒结合成共价结构、非共价结构,或者共价与非共价并存结构。
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