[发明专利]绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管

摘要

一种用于绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底，在半导体衬底上面设置有埋氧化层，在埋氧化层上设置由左氧化层、右氧化层以及左氧化层、右氧化层之间的多晶硅层构成的隔离深槽，在隔离深槽左右两边均是普通结构的绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，在深槽右侧的晶体管的N型接触区和深槽中间的多晶硅层之间通过表面的一层多晶硅进行连接，且深槽的右氧化层与深槽右侧的晶体管的N型接触区紧贴着，这种隔离槽结构不但可以有效防止深槽右侧的绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管在击穿条件下的烧毁，而且可以有效减少芯片面积，提高集成度。

主权项

一种用于绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，包括：半导体衬底(1)，在所述半导体衬底(1)上面设置有埋氧化层(2)，在所述埋氧化层(2)上设置有左氧化层(10)、右氧化层(11)以及在所述左氧化层(10)、所述右氧化层(11)之间的多晶硅层(12)构成的隔离深槽，在所述隔离深槽左右两边均是绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管，所述绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管构成包括：在所述埋氧化层(2)上设有P型半导体漂移区(3)，在所述P型半导体漂移区(3)上设有N型阱(4)和P型漏区(7)，在所述N型阱(4)表面设有N型接触区(5)和P型源区(6)，在所述N型接触区(5)和所述P型源区(6)以及所述P型漏区(7)以外的区域设有氧化层(9)，在所述氧化层(9)上设有多晶硅(8)，其特征在于：在所述N型接触区(5)和所述P型源区(6)以及所述多晶硅层(12)之间通过所述绝缘体上硅的高压P型金属氧化物半导体管表面的多晶硅层(13)进行连接。