[发明专利]一种真空磁控溅射卷绕镀膜装置有效
申请号: | 200910037213.0 | 申请日: | 2009-02-17 |
公开(公告)号: | CN101492809A | 公开(公告)日: | 2009-07-29 |
发明(设计)人: | 夏登峰;苏陟;郑永德;杨伟民 | 申请(专利权)人: | 广州力加电子有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 广州凯东知识产权代理有限公司 | 代理人: | 张玉枢 |
地址: | 510000广东省广州市广州科学*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种真空磁控溅射卷绕镀膜装置,包括真空腔体,真空获得系统、靶极和收放卷系统,真空腔体上设置有真空获得系统,真空获得系统使真空腔体内部在工作时呈真空状态,真空腔体内的磁控溅射区设置有磁控溅射的靶极,磁控溅射的靶极设置有两排,磁控溅射区两侧分别设置有收放卷系统。本发明具有的优点是:(1)真空腔体为圆形,不会形成抽气死角,真空度均匀;真空室内无返油;提高了工作效率。(2)采用了双收放卷系统,可以满足磁控溅射区全幅宽的一卷双面镀及两卷单面镀;也可以满足镀区半幅宽的两卷镀单面及双面镀,功能全面。(3)对基材表面进行离子轰击,提高基材表面粗糙度,确保膜层与基材之间的剥离强度。 | ||
搜索关键词: | 一种 真空 磁控溅射 卷绕 镀膜 装置 | ||
【主权项】:
1、一种真空磁控溅射卷绕镀膜装置,包括真空腔体,真空获得系统、靶极和收放卷系统,其特征在于:真空腔体上设置有真空获得系统,真空腔体内的磁控溅射区设置有磁控溅射的靶极,磁控溅射的靶极设置有两排,在磁控溅射区两侧分别设置有收放卷系统。
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