[发明专利]一种具有电流阻挡层的发光二极管无效
| 申请号： | 200910037641.3 | 申请日： | 2009-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101510580A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;叶国光 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电流阻挡层的发光二极管，包括衬底，形成于衬底的正面上的n型半导体材料层，形成于n型半导体材料层上的发光层，形成于发光层上的p型半导体材料层，形成于p型半导体材料层上的透明电极层，形成于透明电极层上的阳极金属电极焊线层和形成于n型半导体材料层上阴极金属电极焊线层，形成于阳极金属电极焊线层、阴极金属电极焊线层上的焊线，在透明电极层与p型半导体材料层之间，阳极金属电极焊线层下方对应的局部位置上，形成有电流阻挡层，本发明利用电流阻挡层减少晶片电极下方的电流积聚，减少电极对光的吸收，提高了出光率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电流 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】：
1、一种具有电流阻挡层的发光二极管，包括衬底；形成于衬底的正面上的n型半导体材料层；形成于n型半导体材料层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体材料层；形成于p型半导体材料层上的透明电极层；形成于透明电极层上的阳极金属电极焊线层和形成于n型半导体材料层上阴极金属电极焊线层；形成于阳极金属电极焊线层、阴极金属电极焊线层上的焊线；其特征在于：在透明电极层与p型半导体材料层之间，阳极金属电极焊线层下方对应的局部位置上，形成有电流阻挡层，所述阳极金属电极焊线层与阴极金属电极焊线层的材料为Al或Ag，所述焊线的材料为Cu、Al或Ag。
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