[发明专利]一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，采用单步扩散法对p型硅片进行重掺杂，在重掺杂硅片前电极区域处丝网印刷上高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层，其余非电极区域经过化学腐蚀变为轻掺杂的发射极，除去耐腐蚀阻挡层后即制备得选择性发射极结构，最后采用太阳电池常规制备方法即制备得选择性发射极晶体硅太阳电池。该工艺步骤相对简单、且容易实现规模化生产，能够在不增加制作成本的情况下通过发射极结构提高电池的转换效率。

主权项

1、一种选择性发射极晶体硅太阳电池的制备方法，其特征在于，采用单步扩散法对p型硅片进行重掺杂，在重掺杂硅片前电极区域处丝网印刷上高分子聚合物材料作为耐腐蚀阻挡层，其余非前电极区域经过化学腐蚀成为轻掺杂的发射极，除去耐腐蚀阻挡层，即制备得前电极为重掺杂而其它区域为轻掺杂的选择性发射极结构，最后采用太阳电池常规制备方法即制备得选择性发射极晶体硅太阳电池。