[发明专利]一种射频功率放大器高低功率合成电路有效
| 申请号： | 200910039721.2 | 申请日： | 2009-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101562425A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 彭凤雄 | 申请（专利权）人： | 惠州市正源微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/189 | 分类号： | H03F3/189;H03F3/20;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 罗晓林 |
| 地址： | 516006广东省惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种与射频功率放大器配合使用的高低功率合成电路。所述电路连接于输入信号与负载之间，包括并行的高功率工作通道、低功率工作通道及用于选择切换两通道工作并对两通道工作进行控制的电压控制电路；其中高功率工作通道包括驱动级、功率级；低功率工作通道采用两三极管级联结构；作为输出端的三极管通过一匹配网络连接至负载。本发明通过对高、低功率放大器进行独立设计，从而能对功率放大器在高、低功率模式下的效率与其他指标进行优化，同时改善高、低输出功率模式下的效率，有效提高射频功率放大器平均效率，延长电池使用时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 射频 功率放大器 高低 功率 合成 电路 | ||
【主权项】：
1、一种射频功率放大器高低功率合成电路，连接于输入信号与负载之间，其特征在于，包括并行的高功率工作通道、低功率工作通道及用于选择切换两通道工作并对两通道工作进行控制的电压控制电路；所述高功率工作通道包括依次连接的驱动级和功率级；所述低功率工作通道包括级联在一起的三极管Q1和Q2；三极管Q1基极接输入信号，发射极接地，集电极连接三极管Q2射极；所述三极管Q2基极通过电阻接偏置电压BIAS端，该极同时通过电容接地，三极管Q2集电极连接至负载。
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