[发明专利]一种非挥发性电阻存储元件及其制备方法无效
| 申请号： | 200910039783.3 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101562228A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 包定华;陈心满 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;C23C20/06 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 陈 卫 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种非挥发性电阻存储元件及其制备方法，该存储元件包括NiO/MgxZn1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层、以及分别配置在该异质结薄膜层上表面和下表面的Pt电极。本发明的电阻存储元件具有稳定且可重复的电阻开关特性，高阻、低阻两状态之间转换所对应电压值分布在0.55～0.6V之间，发散程度较小，且均低于1V，能够满足实际应用的要求，且该存储元件的高阻、低阻比值较大，达到106，保证了器件较高的信噪比，同时该存储元件的初始化电流较小，为1μA。本发明的制备方法采用溶胶-凝胶法，不但操作简单、成本低、化学组成易控，而且制备得到的薄膜无裂纹、致密性好、晶粒分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发性 电阻 存储 元件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非挥发性电阻存储元件，其特征在于该存储元件包括：(1)NiO/MgxZn1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层；(2)配置制作在上述NiO/MgxZn1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层上表面的Pt电极；(3)配置在上述NiO/MgxZn1-xO(x＝0.4～1)p-n异质结薄膜层下表面的Pt电极。
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