[发明专利]GaN基材料外延层生长制备方法无效
| 申请号： | 200910039833.8 | 申请日： | 2009-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN101560647A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 江灏;贾维卿 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | C23C16/18 | 分类号： | C23C16/18;C23C16/34;C30B25/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 禹小明 |
| 地址： | 510275广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基材料外延层生长制备方法，使用金属有机物化学气相沉积方法在衬底上间歇生长外延层，获取器件所需的缓冲层结构；在整个薄膜生长过程中，向金属有机物化学气相沉积薄膜生长室内等流量持续通入III族生长源及载流气体，间歇通入V族生长源，V族生长源间断时间依间歇次序等梯度递减。本发明提供的制备方法能够显著降低GaN基材料外延层的位错密度，有效提高器件外延层的晶体质量，从而有效提高光电半导体器件及电子器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | gan 基材 外延 生长 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种GaN基材料外延层生长制备方法，其特征在于：使用金属有机物化学气相沉方法在衬底上间歇生长外延层，获取器件所需的缓冲层结构。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
