[发明专利]含锆、铥系列钙钛矿混合导体透氢膜及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200910041492.8 | 申请日： | 2009-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN101612531A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 袁文辉;毛玲玲;李莉 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D53/22;C01B3/50 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李卫东 |
| 地址： | 510640广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了含锆、铥系列钙钛矿混合导体透氢膜及其制备方法和应用。该含锆、铥系列钙钛矿混合导体透氢膜的化学式为SrCe0.95-xZrxTm0.05O3-δ，01≤x≤0.40，0≤δ≤0.5。其制备方法是采用EDTA-柠檬酸联合络合法制备前驱体，在1000℃下烧结7～10h后得粉体；采用静态法，粉体在10～40MPa下压制成膜片，最后在1100～1525℃下焙烧，得含锆、铥系列钙钛矿混合导体透氢膜。该含锆、铥系列钙钛矿混合导体透氢膜是一种同时掺杂锆、铥的钙钛矿氧化物，具有较高的氢渗透性和在还原气氛中高的稳定性，可以用于从含氢混合气中选择分离氢。 | ||
| 搜索关键词： | 系列 钙钛矿 混合 导体 透氢膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1、一种含锆、铥系列钙钛矿混合导体透氢膜，其特征在于：所述透氢膜的化学式是SrCe0.95-xZrxTm0.05O3-δ，01≤x≤0.40，0≤δ≤0.5。
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